Opis
Tranzystor mocy MOSFET CS12N60FCechy:Szybkie przełączanieNiska rezystancja włączenia (Rdson ≤0,75 Ω)Niski poziom naładowania bramki (typowe dane: 40nC)Niskie pojemności transferu zwrotnego (typowo: 10 pF)100% test energii lawinowej pojedynczego impulsuObudowa TO220F (czarna)Zastosowania:Obwody przełączające zasilaczy i ładowarekParametry Absolutne (Tc = 25°C, o ile nie określono inaczej):VDSS: Napięcie między drenem a źródłem: 600 VID: Prąd drenu ciągły: 12 APrąd drenu ciągły przy TC = 100°C: 7.5 AIDM: Prąd drenu impulsowy: 48 AVGS: Napięcie między bramką a źródłem: ±30 VEAS: Energia pojedynczego impulsu przebicia: 670 mJdv/dt: Szczytowy przyrost napięcia podczas odzysku diody: 5.0 V/nsPD:Rozpraszanie mocy: 42 WWspółczynnik deratingu powyżej 25°C: 0.34 W/°CTJ, Tstg: Zakres temperatury pracy złącza i przechowywania: -55 do 150°CTL: Maksymalna temperatura lutowania: 300°CZdjęcie realnePomiar realnyWaga 1.8g