AP80N03D 80N03 tranzystor trench MOSFET 30V 80A TO252 SMD

Tranzystor AP80N03DModel AP80N03DOznaczenia AP80N03DSeria 80N03Technologia: trench MOSFET – niski RDS(on), mały ładunek bramki, praca już przy VGS = 4,5 V.

Typ: N-Channel, 30 V, 80 AObudowa: TO-252 (DPAK)Parametry graniczne (TC = 25 °C) :VDS: 30 VVGS: ±20 VID (ciągły, 25 °C): 80 AID (ciągły, 100 °C): 51 AIDM (impulsowy): 320 AEAS (energia lawinowa): 88 mJPD: 54 W (0,43 W/°C derating powyżej 25 °C)Tj, Tstg: –55…+150 °CRθJC: 2,3 °C/WRθJA: 62 °C/WParametry elektryczne :BVDSS (przebicie dren–źródło): ≥30 VIDSS (prąd upływu DS): max 1 µA (25 °C), max 10 µA (125 °C)IGSS: ±100 nARDS(on):typ. 4,8 mΩ, max 6 mΩ (VGS = 10 V, ID = 20 A)typ. 6,5 mΩ, max 9 mΩ (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)VGS(th): 1,0…2,5 V (typ. 1,6 V)gfs: 18 S (typ.)Parametry przełączania (przy VDD = 15 V, VGS = 10 V, RG = 3,3 Ω, ID = 15 A) :Qg (ładunek bramki): 11,1 nCQgs: 1,85 nCQgd: 6,8 nCtd(on): 7,5 nstr: 14,5 nstd(off): 35,2 nstf: 9,6 nsParametry diody :IS (ciągły prąd źródła): 80 AISM (impulsowy prąd źródła): 320 AVSD (spadek napięcia): max 1 V (IS = 1 A)Zastosowanie :Elektronika samochodowaZabezpieczenia akumulatorów i baterii litowychPrzełączanie zasilania (load switch)Zasilacze UPS, DC-DC konwerterySystemy telekomunikacyjne i serweroweSterowanie LED-ami mocyZamienniki : AOD2144, AUIRLR3114Z, AULR3114Z, BRCS025N04DP, BUK625R2-30C, BUK626R2-40C, FTK80N03D, HM150N03K, IPD024N06N, IRFR8314, IRFR8314PBF, IRLR3114Z, IRLR7833, IRLR7833PBF, IRLR7843, IRLR7843CPBF, IRLR7843PBF, IRLR8743, IRLR8743PBF, JMSL0402AK, JMSL0402AKQ, JMSL0603AK, JST150N30T2, MT04N005AL, NCE30H15KZdjęcie realnePomiar realnyTranzystory nowe, brak śladów lutowania i montażu