BFU590 BFU590GX BFU590G tranzystor RF NPN 30V 300mA 8.5GHz 2W SOT223

Tranzystor NPN szerokopasmowy RF BFU590GModel: BFU590GOznaczenie: BFU590Produkcja: NXP SemiconductorsObudowa: SOT223Parametry elektryczne (Absolute Maximum Ratings) :Napięcie kolektor–baza (VCB) = 30 VNapięcie kolektor–emiter (VCE) =16 V (przy otwartej bazie)30 V (przy zwartej bazie)Napięcie emiter–baza (VEB) = 3 VPrąd kolektora (IC) = 300 mAMoc strat (Ptot) = 2000 mW (Tsp ≤ 90°C)Temperatura przechowywania (Tstg) = -65…+150°CTemperatura złącza (Tj) = do 150°CCharakterystyki elektryczne (Typical / DC / RF)Wzmocnienie prądowe (hFE) = 60…130 (typ. 95)(IC = 80 mA, VCE = 8 V)Częstotliwość przejścia (fT) = 8.5 GHz (typ.)(IC ≈ 50–80 mA, VCE = 8 V)Maksymalne wzmocnienie mocy (Gp(max)) = 13 dB (typ.) @ 900 MHzMoc wyjściowa przy 1 dB kompresji (PL(1dB)) =21.5 dBm @ 900 MHz (typ.)Pojemność kolektora (Cc) = 1.9 pF (typ.)(VCB = 8 V, f = 1 MHz)Prąd upływu ICBO = < 1 nA(VCB = 8 V)Parametry termiczneOpór termiczny złącze–punkt lutowaniaRth(j-sp) = 30 K/WZastosowaniaWzmacniacze szerokopasmowe RFWzmacniacze średniej mocy (do ok. 500 mW @ 433 / 866 MHz)Wzmacniacze dużych sygnałów (ISM)Aplikacje motoryzacyjne (AEC-Q101)Układy RF do ~2 GHzZdjęcie realnePomiar realny