Opis
4N25 TransoptorModel 4N25Oznaczenie 4N25Obudowa DIP6 białaMontaż THT przewlekanyRodzaj elementu transoptor (optotriak)Waga 0.4gMaksymalne parametry graniczne (Absolute Maximum Ratings, Ta = 25°C)Prąd przewodzenia diody IF 80 mA Napięcie wsteczne diody VR 6 V Moc strat diody P 150 mW Napięcie kolektor–emiter VCEO 30 V Napięcie kolektor–baza VCBO 70 V Napięcie emiter–kolektor VECO 7 V Prąd kolektora IC 100 mA Moc strat tranzystora PC 150 mW Całkowita moc strat Ptot 250 mW Napięcie izolacji (1 min) Viso 2 500 Vrms Temperatura pracy Topr –55…+100 °C Temperatura przechowywania Tstg –55…+150 °C Temperatura lutowania (10 s) Tsol 260 °C Charakterystyki elektryczne i optyczne (Electrical/Optical Characteristics, Ta = 25°C)Wejście (LED) :Napięcie przewodzenia VF 1,2 1,5 V IF = 10 mA Prąd wsteczny IR – 50µA VR = 4 V Pojemność złącza Ct 30– pF V = 0, f = 1 kHzWyjście (fototranzystor)Napięcie przebicia C–E BVCEO 30 V IC = 0,1 mANapięcie przebicia E–C BVECO 7 V IE = 10 µANapięcie przebicia C–B BVCBO 70 V IC = 0,1 mAPrąd upływu kolektora ICEO – 100 nA VCE = 10 VParametry transferoweCTR (stosunek prądu) CTR 50…600 % IF = 10 mA, VCE = 10 V Napięcie nasycenia C–E VCE(sat) – 0,5V IF = 10 mA, IC = 2 mAIzolacja i dynamikaRezystancja izolacji RISO 10¹¹ Ω DC 500 V, RH 40–60% Pojemność między stronami Cf 1 pF V = 0, f = 1 MHz Czas narastania tr 3 µs RL = 100 Ω, IC = 2 mA, VCE = 10 VCzas opadania tf 3 µs j.w.
Zamienniki : H11A1, CNY17-1, TIL111Zdjęcie realneElementy nowe, brak śladów lutowania lub montażuW ofercie posiadamy inne modele transoptorów