AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252

AOD403 tranzystor MOSFET P-kanałowyModel AOD403Oznaczenie D403Typ MOSFET P-kanałowyMaksymalne napięcie dren–źródło VDS = -30 VCiągły prąd drenu ID = -70 A (Tc = 25 °C)Niska rezystancja w stanie przewodzeniaRDS(on) < 6,2 mΩ @ VGS = -20 V, ID = -20 ARDS(on) < 8 mΩ @ VGS = -10 V, ID = -20 ANiski ładunek bramki i niska rezystancja bramkiParametry elektryczne:Napięcie progowe bramki VGS(th): -1,5 do -3,5 V (typ. -2,5 V)Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS = ±25 VCałkowity ładunek bramki Qg: typ. 51 nC, maks. 61 nCŁadunek bramka–źródło Qgs: typ. 12 nCŁadunek bramka–dren Qgd: typ. 16 nCTranskonduktancja gFS: typ. 42 SRezystancja bramki Rg: typ. 3,8 ΩMaksymalna energia lawinowa EAS = 125 mJ (L = 0,1 mH)Maksymalna moc strat PD = 90 W (Tc = 25 °C)Impulsowy prąd drenu IDM = -200 ATemperatura złącza i przechowywania: -55 °C do +175 °CParametry dynamiczne:Pojemność wejściowa Ciss: typ. 2890 pFPojemność wyjściowa Coss: typ. 585 pFPojemność zwrotna Crss: typ. 470 pFCzas opóźnienia załączenia td(on): typ. 16 nsCzas narastania tr: typ. 12 nsCzas opóźnienia wyłączenia td(off): typ. 45 nsCzas opadania tf: typ. 22 nsWbudowana dioda:Maksymalny ciągły prąd diody IS = -70 ANapięcie przewodzenia diody VSD: typ. -0,7 V, maks. -1,0 VCzas odzyskiwania zdolności zaporowej trr: typ. 18 ns, maks. 22 nsŁadunek odzyskiwania Qrr: typ. 11 nC, maks. 13 nCObudowa i montaż:Obudowa TO-252 (DPAK)Przeznaczony do montażu powierzchniowego (SMD)Maksymalna rezystancja termiczna złącze–obudowa RθJC = 1,6 °C/WMaksymalna rezystancja termiczna złącze–otoczenie RθJA = 50 °C/WZastosowania:Układy przełączania dużych prądówUkłady sterowania i przełączania obciążeńPrzetwornice i układy zasilaniaAplikacje wymagające niskiej rezystancji RDS(on)Układy wymagające wysokiej wydajności prądowej i dobrego odprowadzania ciepłaOdpowiedniki: UT70P03, HSU100P03, AOD423, VBZE100P03, HM70P03K, FDD9509L-F085, CMD170P03A, AP100P03D, ASDM30P100KQZdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.

Pomiar realny