Opis
Typ tranzystora P-MOSFETTechnologia PowerTrench®Polaryzacja unipolarnyNapięcie dren-źródło -30VPrąd drenu -40AMoc rozpraszana 52WObudowa DPAK TO252Napięcie bramka-źródło ±25VRezystancja w stanie przewodzenia 30mΩMontaż SMDZdjęcie realne.
Pomiar realny.